来源：中国科学院物理研究所常见的六方相氮化硼（hBN）因化学稳定、导热性能好以及表面无悬挂键原子级平整等特点，被视为理想的宽带隙二维介质材料。菱方相氮化硼（rBN）可以保持hBN较多优异性质，并具有非中心对称的ABC堆垛结构，因而具备本征的滑移铁电性和非线性光学性质。rBN是极具应用潜力的功能材料，可以为变革性技术应用（如存算一体器件和深紫外光源等）提供新材料和解决方案。然而，相较于常见的hBN晶

据中建一局官微消息，近日，国内最大的SIC功率半导体制造基地——武汉长飞先进半导体基地项目成功完成首榀桁架吊装，标志着项目钢结构施工全面展开，助力武汉打造世界级化合物半导体产业高地。据悉，长飞先进武汉基地项目位于湖北省武汉市，总投资200亿元。其中，一期已于2023年9月开工，预计今年6月封顶，2025年上半年形成产能。完工后将成为国内碳化硅产能前列，集产品设计、外延生长、晶圆制造、封装测试于一体

据“金龙湖发布”公众号消息，目前，江苏天科合达碳化硅晶片二期扩产项目机电安装工作已进入后期收尾阶段。相关负责人称，后续重要工作将是吊顶完成，各系统的追位、调试，以及生产辅助用房建设和地面硬化等，力保6月前完成调试，6月3日顺利竣工交付。据悉，天科合达二期项目作为省级重大产业项目，总投资8.3亿元，建筑面积约5万平方米，包括标准化厂房、危化库、固体库等设施。计划购置安装单晶生长炉及配套设备合计647

自Power Integrations (PI) 官网获悉，5月7日，PI宣布收购垂直氮化镓(GaN)晶体管技术开发商奥德赛半导体技术公司(Odyssey)的资产。该交易预计将于2024年7月完成，之后，Odyssey的所有关键员工预计将加入PI的技术团队。声明中称，此次收购将有力支持公司正在进行的专有PowiGaN™技术的开发路线图。该技术已广泛应用于公司的众多产品系列，包括InnoSwitch

据中航光电官微消息，5月8日，中航光电基础器件产业园落成投产仪式在洛阳本部杜预街厂区全球营销中心大楼前隆重举行。据悉，该基础器件产业园项目于2022年4月28日全面开工，项目总投资22.69亿元，占地211亩，总规划建设科研生产面积约28万平方米。旨在提升公司光互连、光电转换、液冷散热等产品的研发及生产能力，促进公司业务由“元件”向“器件”转变，助力打造特种领域首选互连方案提供商，同时也为助推全球

深耕于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司Power Integrations近日宣布达成协议，收购垂直氮化镓(GaN)晶体管技术开发商Odyssey Semiconductor Technologies的资产。这项交易预计将于2024年7月完成，届时Odyssey的所有关键员工都将加入Power Integrations的技术部门。此次收购将为该公司专有的PowiGaN™技术的持续开发提供有

据路透社8日报道，在有消息称美国撤销了一些企业向中企出口芯片许可证后，美国芯片巨头英特尔公司当天表示，其销售额可能将受到打击。对于美国针对中企的这一最新限制芯片出口举动，中国商务部7日回应称，这是典型的经济胁迫做法，不仅违背世贸组织规则，也严重损害美国企业利益。路透社称，英特尔在提交给美国证券交易委员会的文件中，没有透露被撤销出口许可证的中国客户具体名称。但据媒体报道，美国政府7日进一步加大对中国

据日媒报道，晶圆代工厂力积电(PSMC)与SBI控股曾宣布，将合资设立JSMC首座晶圆厂。而SBI控股会长兼社长北尾吉孝近日透露，有意将新厂生产时间提前一年。对此，力积电并未对投产时间作出回应，但表示将全力对该厂提供技术援助。据悉，该晶圆厂选定日本宫城县黑川区大衡村的第二北仙台中央工业园区，计划2024年开始建厂，生产55nm至28nm的运算处理芯片，为包括汽车在内的各行业使用的芯片提供更稳定的供

来源：上海微技术工研院近年来，随着集成电路技术和微机电系统（MEMS）技术的飞速发展，非制冷红外焦平面阵列探测器技术日趋成熟，系列化产品也逐步实现大规模量产。上海工研院聚焦“超越摩尔”集成电路核心工艺研发，并于2018年开始布局非制冷红外探测器技术。经过多年的技术研发和攻关，建立由标准模块工艺组成的红外传感器成套工艺平台。上海工研院已经为多家重要客户提供非制冷红外探测器通用工艺和定制化工艺服务，包

来源：筑波网络科技图: 筑波网络科技总经理张佳楙 (左), LitePoint总裁John Lukez (中), 筑波网络科技许深福董事长 (右)筑波网络科技(ACE Solution) 是软硬件整合的专家，而莱特菠特 (LitePoint) 致力于提供最先进的无线测试解决方案，为现今蓬勃发展的无线技术、具挑战性的设备环境和庞大市场需求的领先者。John Lukez莅临筑波网络科技并提供无线测试领