尽管JEDEC预计将放宽HBM的高度限制，将HBM4的高度上限从775微米（µm）提高到约900微米（µm），但业界仍在不断探索突破传统HBM架构结构限制的方法。据ET News报道，三星电子未来技术研究计划下的“垂直芯片”先进封装项目已取得显著进展。值得注意的是，该报告指出，这种方法据称可将输入/输出 (I/O) 密度提高 10 倍，并将带宽提高约

4月11日，为期三天的第十四届中国电子信息博览会（CITE2026）在深圳会展中心圆满落幕。作为亚洲规模领先、产业链完整、创新活力突出的电子信息年度盛会，本届展会以“新技术、新产品、新场景”为主题，汇聚了1200家国内外知名品牌企业，展览面积达7万平方米，共吸引73,453人次专业观众到场参观，组织100个专业团体观众合计5000人次。展会成功对接100余家海外采购商，促成

当前中国集成电路正处于产业跃升的关键时期，技术创新持续提速，设计能力、工艺协同、先进封装、应用落地不断向纵深推进；同时，产业竞争格局也在加速重塑，企业对于趋势判断、资源整合、生态协同和市场连接的需求，正在变得前所未有地迫切。在这样的背景下，一个真正能够链接产业上下游、汇聚高端资源、释放协同价值的平台，显得尤为重要。ICCAD-Expo 正扮演着这样一个角色——推动产业集聚、

全球领先半导体封测厂商日月光控股有限公司（ASE） 于 4 月 10 日在高雄仁武产业园区举行新工厂奠基仪式，公司首席执行官吴天玉亲自主持仪式，标志着其在高阶半导体测试领域的重大产能扩张计划正式启动。本次奠基项目由日月光控股携手颖崴科技、竑腾科技共同投资，总投资额达新台币 1083 亿元（约合人民币 233 亿元），是公司在高雄继楠梓、路竹、大社厂区后的又一核心布局。项目规划总占地面积约 5 万平

科创板智能终端SoC芯片厂商晶晨半导体（上海）股份有限公司于4月12日向香港联交所主板再次递交H股上市申请，联席保荐人为中金公司、海通国际，重启“A+H”上市进程。本次为晶晨半导体第二次递表。公司曾于2025年9月25日首次递交港股上市申请，因6个月有效期届满，招股书于2026年3月25日自动失效。此次重新提交申请，延续此前上市架构与中介团队，拟发行境外上市外资股（H股）并

2026年4月10日，“2026半导体产业发展趋势大会暨2025年度（第十八届）华强电子网优质供应商&电子元器件行业优秀国产品牌颁奖盛典”在深圳华侨城洲际大酒店成功举办！本次大会由华强电子网主办，中国半导体行业协会分立器件分会、中国半导体行业协会 MEMS 分会、国家集成电路设计深圳产业化基地、中国物流与采购联合会电子产业供应链分会、江苏省半导体行业协会、苏州市集成

南亚科技凭借由闪迪、铠侠和Solidigm支持的25亿美元私募融资吸引了市场关注，这家台湾DRAM制造商也在4月13日公布了强劲的业绩。值得注意的是，Next Apple援引总经理李培英的话报道称，预计第二季度DRAM价格将超过第一季度，实现两位数增长。据TechNews报道，南亚科技第一季度合并营收达490.9亿新台币，环比增长63.1%，净利润飙升至260.6亿新台币。《自由时报》补充道，该季

4月9日，英特尔晶圆代工服务宣布取得重大技术突破，开发出全球最薄的氮化镓（GaN）芯片。硅衬底厚度已缩减至仅19微米——约为人类头发直径的五分之一。该芯片采用英特尔专有的隐形切割和减薄工艺，在 300 毫米（12 英寸）氮化镓硅基晶圆上制造而成。这种方法能够在保持结构完整性和性能稳定性的同时，实现超薄外形。更值得一提的是，该团队首次实现了氮化镓功率晶体管与硅基数字逻辑电路的

据报道，SanDisk正着手建立HBF（一种采用堆叠式NAND闪存的下一代存储器）的供应链。ETNews报道称，消息人士透露，该公司已开始与材料、组件和设备合作伙伴接洽，以构建HBF原型生产线的生态系统。SanDisk计划于今年下半年推出原型产品，日本已成为该生产基地的热门候选地。业内人士预计，试点生产线将于下半年建成，并在年底前后投入运营，目标是在2027年实现商业化。据《The Bell》援引

玻璃基板的商业化进程正在加速，韩国厂商和英特尔之间的竞争日益激烈，双方都在争夺行业领导地位。据《全球经济》报道，消息人士透露，英特尔已制定了一项旨在到2030年实现玻璃基板技术领先地位的路线图，而韩国厂商则正在加紧推进商业化进程，以阻止英特尔在制定行业标准方面占据主导地位。正如报道指出的那样，关键在于对设计标准的控制：如果英特尔成功制定了这些标准，全球无晶圆厂公司可能会被迫遵循其规范—